收藏本站
型号 IPD127N06L G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
IPD127N06L G PDF
代理商 IPD127N06L G
产品目录绘图 Mosfets D-PAK, D2-PAK, TO-252
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 50A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 12.7 毫欧 @ 50A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2V @ 80µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 69nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2300pF @ 30V
功率 - 最大 136W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 标准包装
其它名称 IPD127N06LGINDKR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
IPD127N06L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
IPD127N06L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
IPD12CN10N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
IPD12CNE8N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
IPD12N03LB G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO-252
IPD12N03LB G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO-252
IPD12N03LB G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO-252
IPD135N03L G Infineon Technologies MOSF N CH 30V 30A PG-TO252-3
IPD135N03L G Infineon Technologies MOSF N CH 30V 30A PG-TO252-3
IPD135N03L G Infineon Technologies MOSF N CH 30V 30A PG-TO252-3
IPD135N03LG Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPD135N03LG Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPD135N03LG Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPD135N08N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
IPD13N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
IPD13N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
IPD144N06N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
IPD144N06N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
IPD144N06N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
IPD14N06S2-80 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3